[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于根据被要求的功能控制晶体管的电特性，而实现半导体装置的高性能化及低耗电化。另外，本发明的目的还在于高成品率及高生产率地制造这种半导体装置，而不使其制造工序复杂化。在从半导体衬底分离晶体管的半导体层并转载到具有绝缘表面的衬底的支撑衬底之前，对半导体衬底添加为了控制包含在半导体装置中的晶体管的阈值电压并赋予一导电类型的杂质元素。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：对半导体衬底从所述半导体衬底的表面添加赋予一导电类型的杂质元素来形成杂质区域；对所述半导体衬底的表面照射离子，来在所述半导体衬底的表面的比所述杂质区域下方形成脆化层；在所述半导体衬底的表面上形成绝缘层；使支撑衬底和所述半导体衬底接合并其中间夹有所述绝缘层；进行在所述脆化层中产生裂缝的热处理并在所述脆化层处分离所述半导体衬底，来在所述支撑衬底上形成包含所述杂质区域的半导体层；以及将所述半导体层的所述杂质区域用作沟道形成区域来形成场效应晶体管。