[发明专利]具有中继板的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200810169908.X | 申请日： | 2006-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101373719A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 西村隆雄;成泽良明;熊谷欣一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488;H01L25/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有中继板的半导体器件的制造方法，该制造方法包括如下步骤：a)将膜状粘附剂粘附到该中继板上；b)在第一部分处仅切割该中继板，而在第二部分处切割该中继板和粘附到该中继板上的粘附剂，从而形成多个分割的粘附在共用的单一膜状粘附剂上的中继板；以及c)将分割的中继板同时设置在半导体元件上。本发明的实施例能够以低成本制造半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 中继 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有中继板的半导体器件的制造方法，该制造方法包括如下步骤：a)将膜状粘附剂粘附到该中继板上；b)在第一部分处仅切割该中继板，而在第二部分处切割该中继板和粘附到该中继板上的粘附剂，从而形成多个分割的粘附在共用的单一膜状粘附剂上的中继板；以及c)将分割的中继板同时设置在半导体元件上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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