[发明专利]绝缘层上覆硅元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810170137.6 | 申请日： | 2008-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101728429A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨基正 | 申请（专利权）人： | 新加坡商通益科技股份有限公司台湾分公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种绝缘层上覆硅元件及其制造方法，此绝缘层上覆硅元件包括绝缘层上覆硅基底、N型井区、栅极结构以及P型掺杂区。绝缘层上覆硅基底包括绝缘层以及配置于绝缘层上的P型掺杂硅层。N型井区配置于P型掺杂硅层中。栅极结构配置于N型井区上。栅极结构包括N型掺杂栅极以及配置于N型掺杂栅极与N型井区之间的栅介电层。P型掺杂区配置于栅极结构两侧的N型井区中。本发明使用N型掺杂栅极来作为P型绝缘层上覆硅金属氧化物半导体晶体管中的栅极，且可以进一步地于N型掺杂栅极下方配置N型淡掺杂区，因此能够有效地提升元件效能。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 层上覆硅 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘层上覆硅元件，包括：一绝缘层上覆硅基底，包括：一绝缘层；以及一P型掺杂硅层，配置于该绝缘层上；一N型井区，配置于该P型掺杂硅层中；一栅极结构，配置于该N型井区上，该栅极结构包括：一N型掺杂栅极；以及一栅介电层，配置于该N型掺杂栅极与该N型井区之间；以及一P型掺杂区，配置于该栅极结构两侧的该N型井区中。
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