[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810170152.0 | 申请日： | 2008-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101409267A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 石堂仁则 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件，具有衬底、倒装芯片安装在衬底上的半导体芯片、和提供在衬底与半导体芯片之间间隙中的叠层膜。该叠层膜由覆盖衬底表面的保护膜和形成在焊料抗蚀剂膜与半导体芯片之间的底层填料膜组成。在接触所述底层填料膜的接触表面上使保护膜粗糙化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；半导体芯片，倒装芯片安装在所述衬底上；叠层膜，提供在所述衬底和所述半导体芯片之间的间隙中，所述叠层膜由覆盖所述衬底的表面的保护膜与形成在所述保护膜和所述半导体芯片之间的底层填料膜组成，其中在接触所述底层填料膜的保护膜的接触表面上，使所述保护膜粗糙化。
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