[发明专利]制造闪速单元的方法无效
| 申请号： | 200810170252.3 | 申请日： | 2008-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101436545A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 宣锺元 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的闪速单元的方法包括在硬质掩模图样上和/或上方沉积损害防止膜，以防止在使用蒸汽处理室(VPC)工艺去除硬质掩模时对栅极图样的ONO膜的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 单元 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体器件的闪速单元的方法，包括：在半导体衬底上方形成包括隧道氧化膜、浮栅、氧化物/氮化物/氧化物(ONO)膜和控制栅极的栅极图样；在所述栅极图样上方形成硬质掩模图样；在包括所述栅极图样和所述硬质掩模的所述半导体衬底的整个表面上方形成保护膜；以及然后通过实施蒸汽处理室(VPC)工艺至少去除所述硬质掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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