[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810170279.2 | 申请日： | 2008-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101414580A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 黄宗泽 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底上形成多个光电二极管区，形成分别相应于光电二极管区的多个滤色器，在滤色器上形成平坦化层，在平坦化层上形成保护层，以及通过在保护层上沉积低温氧化层并然后图样化该低温氧化层来形成包括多个相应于光电二极管区的微透镜的微透镜层。在形成平坦化层之后，通过等离子处理形成保护层。这样，在湿处理的过程中可以防止平坦化层遭受经由微透镜层中的大量气泡的化学制品渗透。因此，本方法防止微透镜从平坦化层上剥离。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造CMOS图像传感器的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成多个光电二极管区；形成分别相应于所述光电二极管区的多个滤色器；在所述滤色器上形成平坦化层；在所述平坦化层上形成保护层；以及通过在所述保护层上沉积低温氧化层并然后图样化所述低温氧化层来形成相应于所述光电二极管区的多个微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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