[发明专利]一种非基因型依赖橡胶树自根无性系离体繁殖的方法无效
申请号: | 200810170482.X | 申请日: | 2008-11-01 |
公开(公告)号: | CN101390495A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 华玉伟;黄华孙;黄天带;胡彦师;曾霞 | 申请(专利权)人: | 中国热带农业科学院橡胶研究所 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00;C12N5/04;A01G1/06 |
代理公司: | 海口翔翔专利事务有限公司 | 代理人: | 莫 臻 |
地址: | 57173*** | 国省代码: | 海南;66 |
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摘要: | 本发明公开了一种非基因型依赖橡胶树自根无性系离体繁殖的方法,包括体胚植株的诱导过程、芽条消毒过程、室内嫁接过程、室内嫁接快繁过程和芽条诱导生根过程。本发明工艺流程简单,生产成本低,借助嫁接技术非基因型依赖性,通过循环嫁接繁殖橡胶树自根无性系和砧木自根无性系,有助于砧木选育种,实现了一次取材就可实现自根无性系的循环繁殖,克服了常规方法不断采集外植体的缺点,解决了常规巴西橡胶树砧木自根无性系增殖效率低下、受基因型影响的难题,为橡胶树不同基因型砧木自根无性系大规模扩繁增殖提供了高效的技术支持。 | ||
搜索关键词: | 一种 基因型 依赖 橡胶树 无性 系离体 繁殖 方法 | ||
【主权项】:
1、一种非基因型依赖橡胶树自根无性系离体繁殖的方法,其特征在于:包括体胚植株的诱导过程、芽条消毒过程、室内嫁接过程、室内嫁接快繁过程和芽条诱导生根过程,步骤如下:1)、体胚植株的诱导过程①、以巴西橡胶树花蕾为外植体,将花蕾进行表面消毒后剥出花药,将花药接种到诱导愈伤的诱导培养基上进行暗培养40~60天;所述诱导培养基是以MS培养基为基础培养基,并将其中的磷酸二氢钾、无水氯化钙、四水硫酸锰和七水硫酸镁的含量修改为磷酸二氢钾425mg/L、无水氯化钙260mg/L、四水硫酸锰30.31mg/L、七水硫酸镁555mg/L,再附加2,4-D0.5~3mg/L、KT0.5~3mg/L、NAA0.5~3mg/L、Phytgel2~3g/L、蔗糖50~90g/L、椰子水50ml/L;②、将诱导后的愈伤组织接种到胚胎发生的胚胎培养基上进行暗培养40~60天得到胚状体;所述胚胎培养基是以MS培养基为基础培养基,并将其中的磷酸二氢钾、无水氯化钙、四水硫酸锰和七水硫酸镁的含量修改为磷酸二氢钾425mg/L、无水氯化钙260mg/L、四水硫酸锰30.31mg/L、七水硫酸镁555mg/L,再附加2,4-D0.5~3mg/L、KT0.5~3mg/L、NAA0.5~3mg/L、Phytgel2~3g/L、蔗糖50~90g/L;③、将得到的胚状体切成0.2~0.5cm的切块,并接种到诱导培养基上进行暗培养40~60天;然后再接种到胚胎培养基上进行暗培养40~60天,生成成熟子叶形胚;④、将成熟子叶形胚转移到出苗培养基上,每天16小时光照,温度度为25~28℃,培养20天后开始出苗;所述出苗培养基是以MS培养基为基础培养基,并将其中的磷酸二氢钾、无水氯化钙、四水硫酸锰和七水硫酸镁的含量修改为磷酸二氢钾425mg/L、无水氯化钙260mg/L、四水硫酸锰30.31mg/L、七水硫酸镁555mg/L,再附加KT0.1~1.0mg/L、GA30.5~3mg/L、IAA0.5~4mg/L、蔗糖30~70g/L、活性碳0.5~3g/L、Phytgel2~4g/L、椰子水50ml/L;2)、室外芽条消毒过程将室外茎粗2厘米左右芽条用75%酒精表面消毒30~60秒和0.1%硝酸银消毒10~15分钟后,用200~500mg/LTicarxilin洗5分钟,最后用无菌水冲洗3~6次,每次3~5分钟;3)、室内嫁接过程从消毒过芽条上切取长度为0.5~1.0厘米的芽片,去除芽片木质部,以第一蓬真叶展叶期以前体胚植株为消毒芽片嫁接砧木进行嫁接;将嫁接好的植株重新接种到出苗培养基上,每天16小时光照,温度度为25~28℃,培养20~30天后,解除薄膜并剪掉芽片以上茎段,继续在出苗培养基上,每天16小时光照,温度度为25~28℃,进行培养;4)、室内嫁接快繁过程从试管中取高3~7厘米、茎粗0.2~0.6厘米,叶子处于生长稳定期或已落叶的嫁接苗抽出的芽条,切取长度为0.5~0.8厘米的芽片,以第一蓬真叶展叶期以前体胚植株为嫁接砧木进行嫁接;将嫁接好的植株重新接种到出苗培养基上,每天16小时光照,温度度为25~28℃,培养20~30天后,解除薄膜并剪掉芽片以上茎段,继续在出苗培养基上,每天16小时光照,温度为25~28℃,进行培养;5)、芽条诱导生根过程将快繁后嫁接苗的芽条剪下,在含有1~6mg/L IBA和0.1~0.5mg/LIAA的溶液中浸泡3~10分钟,最后接种到不含生长激素体胚植株的出苗培养基上,每天16小时光照,温度为25~28℃,进行培养至生根。
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