[发明专利]集成电路结构及形成该集成电路结构的方法有效
| 申请号： | 200810170532.4 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101414589A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 陈志华;陈承先;郭正铮;许国经;卿恺明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/52;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路及形成该集成电路的方法，包含一基板；一硅贯通电极，延伸入基板中；一硅贯通电极转接垫，与硅贯通电极间隔一距离设置；以及一金属线，位于硅贯通电极上，且与硅贯通电极及一硅贯通电极转接垫电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路结构，其特征在于，包含：一基板；一硅贯通电极，延伸入该基板中；一硅贯通电极转接垫，与该硅贯通电极间隔一距离设置；以及一金属线，位于该硅贯通电极及该硅贯通电极转接垫上，电性连接于该硅贯通电极及该硅贯通电极转接垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810170532.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
