[发明专利]一种改善STI凹槽的上角边缘厚度的方法无效
| 申请号： | 200810170593.0 | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101728305A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 朱作华;曾令旭;李秋德;何荣 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改善STI凹槽的上角边缘厚度的方法，该方法针对现有的STI-HDP程式进行合理调整，增强其氩气流量或射频功率，调节其蚀刻与沉积之间的比率，有效地消减顶部的SiN线性结构，因而不可能形成磷酸蚀刻的缝隙，后续的酸洗过程也不会造成较深的凹槽，从而在制程的初期就避免了造成后续危险的一个重要因素。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sti 凹槽 边缘 厚度 方法 | ||
【主权项】：
一种改善STI凹槽的上角边缘厚度的方法，其特征在于提供一具有浅沟槽绝缘结构的基底，该基底上表面涂覆有SiN层；在其上进行氧化物的等离子沉积，沉积的同时加入氩气，进行溅蚀与沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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