[发明专利]通过来自乙硅烷前体的远程等离子体CVD的高质量氧化硅膜

摘要

本发明提供了一种在基板上沉积含硅和氮的膜的方法。该方法包括将含硅前体引入到包含基板的沉积室中，其中含硅前体包括至少两个硅原子。该方法还包括通过设置在沉积室外部的远程等离子体系统产生至少一种自由基氮前体。而且，该方法包括将自由基氮前体引入到沉积室中，其中自由基氮和含硅前体反应且在基板上沉积含硅和氮的膜。而且，该方法包括在蒸汽气氛中退火含硅和氮的膜以形成氧化硅膜，其中蒸汽气氛包括水和酸性蒸汽。

主权项

1. 一种在基板上沉积含硅和氮的膜的方法，该方法包括：引入含硅前体到含有基板的沉积室中，其中所述含硅前体包括至少两个硅原子；通过设置在所述沉积室外部的远程等离子体系统产生至少一种自由基氮前体；和引入自由基氮前体到沉积室中，其中自由基氮和含硅前体反应且在基板上沉积含硅和氮的膜。