[发明专利]半导体存储装置中的数据输出电路无效
| 申请号： | 200810171213.5 | 申请日： | 2008-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101471123A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 罗光振 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C11/4096 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置中的数据输出电路，包括：第一数据驱动单元，被配置为在第一定时产生第一驱动数据；第一缓冲单元，被配置为通过缓冲第一驱动数据产生第一输出数据；第二数据驱动单元，被配置为在与第一定时不同的第二定时产生第二驱动数据；以及第二缓冲单元，被配置为通过缓冲第二驱动数据来产生第二输出数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 中的 数据 输出 电路 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体存储装置中的数据输出电路，包括：第一数据驱动单元，被配置为在第一定时产生第一驱动数据信号；第一缓冲单元，被配置为通过缓冲所述第一驱动数据信号来产生第一输出数据信号；第二数据驱动单元，被配置为在与所述第一定时不同的第二定时产生第二驱动数据信号；以及第二缓冲单元，被配置为通过缓冲所述第二驱动数据信号来产生第二输出数据信号。
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