[发明专利]曝光用掩模、以及薄膜晶体管的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810171215.4 申请日: 2008-10-27
公开(公告)号: CN101424874A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 宫田崇 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00;G03F1/14;H01L29/786;H01L21/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 雒运朴;李 伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明目的在于提供一种曝光用掩模、以及薄膜晶体管的制造方法,可以高精度地形成带灰度抗蚀剂膜。曝光用掩模,具备:透明基板(100);遮光膜(110),其具有第一图案部分(110b),该第一图案部分(110b)在该透明基板上形成为规定的重复图案即第一图案;半透明膜(120),其形成在透明基板上包括形成有第一图案部分的第一图案区域(R2)的区域,且透过曝光光线的透射率比遮光膜高。
搜索关键词: 曝光 用掩模 以及 薄膜晶体管 制造 方法
【主权项】:
1、一种曝光用掩模,其特征在于,具备:透明基板;第一图案部分,其在该透明基板上由具有规定形状的一个以上的遮光膜形成;半透明膜,其形成在包含形成有所述第一图案部分的第一图案区域的区域,且透过曝光光线的透射率比所述遮光膜高。
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