[发明专利]曝光用掩模、以及薄膜晶体管的制造方法无效
申请号: | 200810171215.4 | 申请日: | 2008-10-27 |
公开(公告)号: | CN101424874A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 宫田崇 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14;H01L29/786;H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明目的在于提供一种曝光用掩模、以及薄膜晶体管的制造方法,可以高精度地形成带灰度抗蚀剂膜。曝光用掩模,具备:透明基板(100);遮光膜(110),其具有第一图案部分(110b),该第一图案部分(110b)在该透明基板上形成为规定的重复图案即第一图案;半透明膜(120),其形成在透明基板上包括形成有第一图案部分的第一图案区域(R2)的区域,且透过曝光光线的透射率比遮光膜高。 | ||
搜索关键词: | 曝光 用掩模 以及 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种曝光用掩模,其特征在于,具备:透明基板;第一图案部分,其在该透明基板上由具有规定形状的一个以上的遮光膜形成;半透明膜,其形成在包含形成有所述第一图案部分的第一图案区域的区域,且透过曝光光线的透射率比所述遮光膜高。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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