[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200810171431.9 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378007A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 松浦广行;高桥俊树;福岛讲平 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/318;C23C16/509;H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，其特征在于，包括：纵长的处理容器，其具有容纳所述被处理体的处理区域，并且能够设定成气密状态；保持件，在所述处理容器内以相互隔开间隔在垂直方向上层叠的状态保持所述被处理体；气体供给系统，向所述处理容器内供给处理气体；排气系统，对所述处理容器内进行排气；和活性化机构，使所述处理气体等离子体化，所述活性化机构包括：纵长的等离子体生成箱，对应所述处理区域安装在所述处理容器上、并且形成与所述处理区域气密地连通的等离子体生成区域；配设于所述等离子体生成箱的ICP(Inductively Coupled Plasma：感应耦合等离子体)电极；和与所述电极连接的高频电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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