[发明专利]一种测试NMOS热载流子注入寿命的方法有效
| 申请号： | 200810171550.4 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101726695A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 彭钦宏;彭昶 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 屈小春 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种测试NMOS热载流子注入寿命的方法，包括以下步骤：步骤1、测试系统将测试电压应力加到被测器件的漏极，该测试电压的值为穿通电压的60％～70％之间；步骤2、漏极所加电压应力时的最大基底电流所对应的栅压为栅极电压应力，通入此栅极电压应力，得到被测器件漏极电流的退化图；步骤3、测试系统对步骤2中的数据进行拟合得到被测器件失效时间，当器件退化到5％以上，利用外差推算得到器件的失效时间；然后用公式TTF*Ids＝C*(Isub/Ids)m计算热载流子注入的寿命。采用本发明的技术方案可以快速地得到NMOS热载流子注入的寿命，大大缩短测试时间，而且不需要封装晶片，节省了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 nmos 载流子 注入 寿命 方法 | ||
【主权项】：
一种测试NMOS热载流子注入寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、测试系统将测试电压应力加到被测器件的漏极，该测试电压的值为穿通电压的60％～70％之间；步骤2、漏极所加电压应力时的最大基底电流所对应的栅压为栅极电压应力，通入此栅极电压应力，得到被测器件漏极电流的退化图；步骤3、测试系统对步骤2中的数据进行拟合得到被测器件失效时间，当器件退化到5％以上，利用外差推算得到器件的失效时间；然后用公式TTF*Ids＝C*(Isub/Ids)m计算热载流子注入的寿命。
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