[发明专利]前照式雪崩光电二极管

摘要

本发明提供一种具有提高的本征响应度的前照式雪崩光电二极管(APD)，以及一种制造这种前照式APD的方法。该前照式APD包括半导体材料的APD本体，其包括基板和设置在该基板的前表面上的堆叠层。该堆叠层包括吸收层、倍增层和场控制层。该APD本体的后表面被机械和化学地抛光，并且在吸收波带具有大于90％的反射率的反射器被设置在该APD本体的后表面上。因此，在第一次通过该吸收层未被吸收的入射光被该反射器反射而第二次通过该吸收层，从而增加了该前照式APD的本征响应度。

主权项

1、一种前照式雪崩光电二极管APD，包括半导体材料的APD本体和反射器；其中，所述APD本体包括基板以及设置在所述基板的前表面上的堆叠层；所述堆叠层包括：用于吸收吸收波带的光以产生电流的吸收层，包括倍增区域以通过雪崩倍增倍增所述光电流的倍增层，以及控制所述吸收层和倍增层中的电场的场控制层；其中，所述APD本体的后表面被机械和化学地抛光；以及所述反射器对所述吸收波带具有大于90％的反射率，用于向所述吸收层反射所述吸收波带的光，所述反射器被设置在所述APD本体的后表面上。