[发明专利]制造纳米结构的交叉结构有效
| 申请号： | 200810172612.3 | 申请日： | 2008-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645391A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 洪承焄;朴成英;南宫宣 | 申请（专利权）人： | 首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供制造诸如纳米线和碳纳米管的纳米结构的交叉结构的技术。在一个实施方案中，制造纳米结构的交叉结构的方法包括：提供衬底，图案化所述衬底上的第一掩模层，将第一纳米结构吸附到其中不存在第一掩模层的衬底的表面区域上，将第一掩模层从衬底移除，图案化其中吸附有第一纳米结构的衬底上的第二掩模层，和在衬底上有效制造纳米结构的交叉结构的条件下，将第二纳米结构吸附到其中不存在第二掩模层的衬底的表面区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 结构 交叉 | ||
【主权项】：
1.一种制造纳米结构的交叉结构的方法，包括：提供衬底；图案化在所述衬底上的第一掩模层；将第一纳米结构吸附到其中不存在所述第一掩模层的所述衬底的表面区域上；将所述第一掩模层从所述衬底移除；图案化在其上组装有所述第一纳米结构的所述衬底上的第二掩模层；和在对制造纳米结构的交叉结构有效的条件下，将第二纳米结构吸附到其中不存在所述第二掩模层的所述衬底的表面区域上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
