[发明专利]陶瓷膜制造方法以及陶瓷膜制造装置无效
| 申请号： | 200810172708.X | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101425460A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 木岛健 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/02;C23C8/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;尚志峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种可低温成膜的陶瓷膜制造方法以及陶瓷膜制造装置。本发明涉及的陶瓷膜制造方法包括：在基体的上方形成材料层的步骤；将含有水蒸气及氧气的气体导入氧化气体制造部(30)的步骤；以及将氧化气体制造部(30)内的上述气体加热并提供到氧化炉(20)内、使材料层氧化的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷膜 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种陶瓷膜制造装置，其中，包括：氧化炉；基体承载部，被设置在所述氧化炉内；以及氧化气体制造部，被设置在所述基体承载部的上方，其中，所述氧化气体制造部包括：供给部，向所述基体承载部提供气体；多个气室部，在所述供给部的上方，被留有间隔地配置；多个连通管，分别包括两个端口，所述两个端口分别被连接于相邻的上下两个所述气室；以及加热部，对所述多个气室部及所述多个连通管进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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