[发明专利]大阵列CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810172782.1 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101533836A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 周谨 | 申请（专利权）人： | 昆山锐芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/488;H01L27/146;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 215300江苏省昆山市开发*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种大阵列CMOS图像传感器，包括：像素阵列芯片和外围电路处理芯片，所述外围电路芯片位于像素阵列芯片的背面，并与像素阵列芯片连接。及所述大阵列CMOS图像传感器制造方法，其特征在于，包括：将像素阵列制成像素阵列芯片；将像素阵列之外的外围电路制成外围电路芯片；将外围电路芯片放置在像素阵列芯片的背面；将外围电路芯片与所述像素阵列芯片连接。所述大阵列CMOS图像传感器及其制造方法能够简化CMOS图像传感器工艺难度、降低成本，并提高图像传感器可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种大阵列CMOS图像传感器，其特征在于，包括：像素阵列芯片和外围电路处理芯片，所述外围电路芯片位于像素阵列芯片的背面，并与像素阵列芯片连接。
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