[发明专利]半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管无效
| 申请号： | 200810172909.X | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101441999A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 佐藤史隆;中畑成二;木山诚 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L29/02;H01L29/772;H01L33/00;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管，其中，制造半绝缘氮化物半导体衬底的方法包括以下步骤：在下衬底上形成掩模，在所述掩模中以250μm～2000μm的间隔Dw来排列具有10μm～100μm的宽度或直径Ds的点状或带状覆盖部分；用HVPE方法，在1040℃～1150℃的生长温度下，通过供应V族/III族比例R5/3设定为1至10的III族原料气体和V族原料气体以及含有铁的气体在下衬底上生长氮化物半导体晶体；以及去除下衬底，从而获得自支撑半绝缘氮化物半导体衬底，其具有不小于1×105Ωcm的比电阻和不小于100μm的厚度。由此，能获得其中翘曲较少且较不可能发生破裂的半绝缘氮化物半导体晶体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 氮化物 半导体 衬底 及其 制造 方法 外延 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半绝缘氮化物半导体衬底的方法，用于获得具有不小于1×105Ωcm的比电阻和不小于100μm的厚度的自支撑半绝缘氮化物半导体衬底，该方法包括以下步骤：在下衬底上形成掩模，在所述掩模中以250μm至2000μm的间隔Dw来排列具有10μm至100μm的宽度或直径Ds的点状或带状覆盖部分；在1040℃至1150℃的生长温度下，通过供应V族/III族比例R5/3被设定为1至10的III族原料气体和V族原料气体以及含有铁的气体，利用HVPE方法在所述下衬底上生长氮化物半导体晶体；以及去除所述下衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
