[发明专利]多位阶单元存储器的读取方法及应用其的读取电路有效
| 申请号： | 200810172928.2 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101620888A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 何信义;洪继宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多位阶单元存储器的读取方法及应用其的读取电路。该多位阶单元存储器的读取方法包括下列步骤：依序提供多个字线电压；依序提供对应至该多个字线电压的多个位线电压；此多个字线电压的其中之一大于此多个字线电压的另一，且对应的此多个位线电压的其中之一小于对应的此多个位线电压的另一。 | ||
| 搜索关键词： | 多位阶 单元 存储器 读取 方法 应用 电路 | ||
【主权项】：
1、一种多位阶单元存储器的读取方法，其特征在于，该方法包括：依序提供多个字线电压；以及依序提供对应至该多个字线电压的多个位线电压；其中，该多个字线电压的其中之一大于该多个字线电压的另一，且对应的该多个位线电压的其中之一小于对应的该多个位线电压的另一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810172928.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
