[发明专利]面板结构、面板电极的制作方法、形成金属硅化物的方法无效
申请号: | 200810173008.2 | 申请日: | 2008-10-29 |
公开(公告)号: | CN101728454A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 张凯胜;欧乃天;陈添赐 | 申请(专利权)人: | 昱晶能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 中国台湾苗栗县竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池面板电极的制作方法,包括提供一半导体硅片基板,半导体硅片基板依序具有抗反射层或介电层及第一金属层。利用激光束显示一图形在第一金属层上,并依据图形的线条,对第一金属层至抗反射层进行激光合金化处理,并对应图形线条在半导体硅片基板产生一金属硅化物。利用溶液去除第一金属层。在抗反射层表面产生连接金属硅化物的第一电极。产生一第二电极于半导体硅片基板对立抗反射层的一面。另外,本发明也揭示了太阳能电池的面板结构及形成金属硅化物的方法。 | ||
搜索关键词: | 面板 结构 电极 制作方法 形成 金属硅 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池面板的电极制作的方法,其特征在于,包括:提供一半导体硅片基板,该半导体硅片基板上具有一抗反射层,半导体硅片基板包括相堆叠的一P型掺杂层、一N型掺杂层;产生一第一金属层于该抗反射层上;利用一激光束显示一图形于该第一金属层上,并使该激光束依据该图形的线条,对该第一金属层至该抗反射层进行激光合金化处理,并在该半导体硅片基板上对该图形的线条产生一金属硅化物;选择性地利用一溶液去除该第一金属层;产生一第一电极以连接该金属硅化物,并显露在该抗反射层表面;以及产生一第二电极于该半导体硅片基板对立于该抗反射层的一面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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