[发明专利]具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种能显著减少字线电阻的具有垂直沟道的晶体管的半导体器件及其制造方法。垂直沟道晶体管包括衬底，该衬底包括柱状物，每个柱状物具有对应于沟道区域的下部。在包括该柱状物的衬底上方形成栅极绝缘层。使用具有低电阻的金属层来形成环绕栅极电极，以减少字线的电阻。在栅极绝缘层与环绕栅极电极之间形成阻挡金属层，以便防止绝缘层的特性劣化。形成字线，以连接在该阻挡层上所形成的环绕每个柱状物下部的栅极电极。

主权项

1. 一种包括垂直沟道晶体管的半导体器件，包括：包括多个柱状物的衬底，每个柱状物具有下部，其中所述下部对应于垂直沟道的沟道区域；绝缘层，形成在包括所述多个柱状物的所述衬底上；阻挡层，形成在对应每个柱状物的所述下部的所述绝缘层的部分上；栅极电极，形成在所述阻挡层上并环绕每个柱状物的所述下部；和字线，连接环绕所述多个柱状物的所述栅极电极。