[发明专利]一种新型的金属蚀刻方法无效
| 申请号： | 200810173215.8 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101728314A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 曾令旭;余旭浒;李秋德 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 包红健 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的金属蚀刻方法，该方法包含如下步骤：提供一个基板，并在该基板上沉积一层金属层，再沉积一层硬式掩膜层，在该硬式掩膜层上方再沉积一层光阻物质；先用曝光蚀刻部分光阻物质，得到线宽；对上述硬式掩膜层进行蚀刻，将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，仅蚀刻去除已蚀刻部分光阻物质后暴露的硬式掩膜层；将残留光阻和硬式掩膜层作为金属蚀刻的阻挡层，直接对金属层进行蚀刻。采用本发明方法，既可简化制程，又可以很好的控制蚀刻后的线宽和轮廓，而且在蚀刻过程中残留光阻在金属侧壁反映生成聚合物起到保护金属侧壁的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 金属 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种新型的金属蚀刻方法，其特征在于包括以下步骤：提供一个基板，并在该基板上沉积一层金属层，再沉积一层硬式掩膜层，在该硬式掩膜层上方再沉积一层光阻物质；先用曝光蚀刻部分光阻物质，得到线宽；对上述硬式掩膜层进行蚀刻，将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，仅蚀刻去除已蚀刻部分光阻物质后暴露的硬式掩膜层；将残留光阻和硬式掩膜层作为金属蚀刻的阻挡层，直接对金属层进行蚀刻。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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