[发明专利]半导体制造装置及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 200810173276.4 | 申请日: | 2008-10-31 |
公开(公告)号: | CN101445919A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 甲斐丈靖;马场裕之 | 申请(专利权)人: | OKI半导体株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;H01L21/00;H01L21/205 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法,通过适当地设定蓝宝石衬底的预热工序中的预热条件,可顺利地进行蓝宝石衬底的吸引保持。该半导体制造装置具备:加热板,其使蓝宝石衬底在大气中升温;支承部,其使蓝宝石衬底的背面与加热板相对,并隔开规定间隔对蓝宝石衬底进行支承;以及喷出孔,其设置于加热板,朝向蓝宝石衬底的中心部喷出气体;在利用加热板来预热蓝宝石衬底的情况下,将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为:规定间隔为1mm以下,来自喷出孔的气体的喷出量为20L/min以上;将预热的结束条件设定为:蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体制造装置,其特征在于,具备:加热板,其使蓝宝石衬底在大气中升温;支承部,其使上述蓝宝石衬底的背面与上述加热板相对,并隔开规定间隔对上述蓝宝石衬底进行支承;以及喷出孔,其设置于上述加热板,朝向上述蓝宝石衬底的中心部喷出气体;在利用上述加热板来预热上述蓝宝石衬底的情况下,将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为:上述规定间隔为1mm以下,来自上述喷出孔的上述气体的喷出量为20L/min以上;将上述预热的结束条件设定为:上述蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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