[发明专利]半导体制造装置及半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810173276.4 申请日: 2008-10-31
公开(公告)号: CN101445919A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 甲斐丈靖;马场裕之 申请(专利权)人: OKI半导体株式会社
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/52;H01L21/00;H01L21/205
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 雒运朴;李 伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法,通过适当地设定蓝宝石衬底的预热工序中的预热条件,可顺利地进行蓝宝石衬底的吸引保持。该半导体制造装置具备:加热板,其使蓝宝石衬底在大气中升温;支承部,其使蓝宝石衬底的背面与加热板相对,并隔开规定间隔对蓝宝石衬底进行支承;以及喷出孔,其设置于加热板,朝向蓝宝石衬底的中心部喷出气体;在利用加热板来预热蓝宝石衬底的情况下,将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为:规定间隔为1mm以下,来自喷出孔的气体的喷出量为20L/min以上;将预热的结束条件设定为:蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。
搜索关键词: 半导体 制造 装置 半导体器件 方法
【主权项】:
1. 一种半导体制造装置,其特征在于,具备:加热板,其使蓝宝石衬底在大气中升温;支承部,其使上述蓝宝石衬底的背面与上述加热板相对,并隔开规定间隔对上述蓝宝石衬底进行支承;以及喷出孔,其设置于上述加热板,朝向上述蓝宝石衬底的中心部喷出气体;在利用上述加热板来预热上述蓝宝石衬底的情况下,将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为:上述规定间隔为1mm以下,来自上述喷出孔的上述气体的喷出量为20L/min以上;将上述预热的结束条件设定为:上述蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。
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