[发明专利]包括衬底和压力装置的功率半导体模块有效
| 申请号： | 200810173324.X | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101436585A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | R·波普;M·格鲁贝尔 | 申请（专利权）人： | 塞米克朗电子有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/48;H01L23/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 谢志刚 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体模块，包括一个衬底、一个外壳、以及一个压力装置，其中衬底具有一个绝缘材料体和在其上设置的带有负荷电位和辅助电位的一些结构化印制导线，并且其中衬底在结构化印制导线的区域中在至少两个不被功率半导体元件覆盖的区域上具有凹坑。此外，压力装置在其朝向衬底的侧面在至少两个位置上具有配设于凹坑的并且形锁合和/或力锁合地设置在该凹坑中的止动凸鼻。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 衬底 压力 装置 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
1. 一种功率半导体模块，包括至少一个带有至少一个半导体元件(3a、3b)的衬底(1)、一个外壳(9)、一个压力装置(4)以及引向外部的一些负荷接线元件(50、52、54)和辅助接线元件(6、60、62)，其中衬底(1)具有一个绝缘材料体(10)，并且在其朝向功率半导体模块内部的第一主表面上设置带有负荷电位和辅助电位的一些印制导线(2a、2b)，其中衬底的朝向功率半导体模块内部的主表面在所设置的印制导线(2a、2b)的区域中在至少两个不被功率半导体元件所覆盖的区域上具有至少两个凹坑(7a、7b、7c、7d)，并且压力装置(4)在其朝向衬底的侧面在至少两个位置上具有配设于凹坑的、并且形锁合和/或力锁合地设置在该凹坑中的止动凸鼻(8a、8b、8c、8d)。
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