[发明专利]具有垂直型和水平型栅极的半导体器件及其制造方法

摘要

一种具有垂直型栅极和水平型栅极的半导体器件及其制造方法，该方法用于获得半导体器件的高集成以及与其他器件的集成而同样最大化其击穿电压和操作速度并防止对半导体器件的损害。

主权项

一种半导体器件，包括：高密度第一导电型衬底；低密度第一导电型外延层，形成在所述高密度第一导电型衬底上方；多个第一低密度第二导电型基区和第二低密度第二导电型基区，隔离开地形成在所述低密度第一导电型外延层中；高密度第一导电型源区，形成在所述第一和第二低密度第二导电型基区中；高密度第一导电型漏区，在布置于所述第一和第二低密度第二导电型基区外部的所述外延层中形成；多个第一沟槽，每个所述第一沟槽穿透所述高密度第一导电型源区和所述第二低密度第二导电型基区；多个第二沟槽，每个所述第二沟槽穿透所述第一低密度第二导电型基区，其中，形成在所述第一低密度第二导电型基区中的所述高密度第一导电型源区形成在每个所述第二沟槽的一侧；高密度第二导电型掺杂物区，形成在所述第一低密度第二导电型基区中；第一栅电极，形成在所述第一沟槽中；第二栅电极，形成在所述第二沟槽中，其中，所述第二栅电极形成在所述第一低密度第二导电型基区中的所述高密度第一导电型源区与所述高密度第二导电型掺杂物区之间；场氧化层，形成在所述第一和第二基区与各个高密度第一导电型漏区之间的低密度第一导电型外延层上方；以及第三栅电极，形成在所述高密度第一导电型源区和所述高密度第一导电型漏区之间的所述第一和第二低密度第二导电型基区上方。