[发明专利]阴影式光罩结构及其制造方法无效
申请号: | 200810173663.8 | 申请日: | 2008-11-05 |
公开(公告)号: | CN101738844A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 卢皓敏 | 申请(专利权)人: | 翔准先进光罩股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 文琦;钱惠莲 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种阴影式光罩结构,其包括透明基材、第一屏蔽层以及第二屏蔽层。其中,透明基材具有第一区域与第二区域,在该第一区域中形成有主要图案并且在该第二区域中形成有辅助图案;第一屏蔽层由第一屏蔽材料所构成,并且第一屏蔽层设置于透明基材的第一区域上;第二屏蔽层则由第二屏蔽材料所构成,并且第二屏蔽层设置于透明基材的第二区域上以及第一区域的第一屏蔽层上。因此,主要图案由第一屏蔽材料与第二屏蔽材料所构成,而辅助图案则由第二屏蔽材料所构成,并且上述的第一屏蔽层的光反射率低于第二屏蔽层的光反射率。同时,本发明也公开一种阴影式光罩结构的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 阴影 式光罩 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阴影式光罩结构,其包括:一透明基材,其具有一第一区域与一第二区域;一第一屏蔽层,其由一第一屏蔽材料所构成,该第一屏蔽层设置在所述透明基材的所述第一区域上;以及一第二屏蔽层,其由一第二屏蔽材料所构成,该第二屏蔽层设置在所述透明基材的所述第二区域上与所述第一区域的所述第一屏蔽层上;其中,所述第一屏蔽层的光反射率低于所述第二屏蔽层的光反射率。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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