[发明专利]单晶氮化镓基板及单晶氮化镓长晶方法无效

专利信息
申请号: 200810173810.1 申请日: 2002-10-09
公开(公告)号: CN101393851A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 元木健作;弘田龙;冈久拓司;中畑成二 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/18;C30B29/38;C30B29/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种单晶氮化镓基板和单晶氮化镓长晶方法,单晶氮化镓基板具有表面、背面和厚度,具有晶体缺陷集合区H、低缺陷单晶区Z和C面生长区Y,具有HZYZ构造;所述晶体缺陷集合区H直线状伸展,贯通表背面,有宽,在宽度方向两侧具有交界线K、K,让变位集合在内部;所述低缺陷单晶区Z直线状伸展,贯通表背面,通过交界线K与晶体缺陷集合区H相接,有宽,变位密度比晶体缺陷集合区H低;所述C面生长区Y位于低缺陷单晶区Z的大致中央,直线状伸展,贯通表背面,有宽,变位密度比晶体缺陷集合区H低,电阻率比低缺陷单晶区Z低高,C面生长区Y的宽度并非一定而具有随机偏差,在厚度方向以及与面平行的方向上歪歪扭扭。
搜索关键词: 氮化 镓基板 镓长晶 方法
【主权项】:
1、一种单晶氮化镓基板,其特征在于,具有表面、背面和厚度,具有晶体缺陷集合区H、低缺陷单晶区Z和C面生长区Y,具有HZYZ构造;所述晶体缺陷集合区H直线状伸展,贯通表背面,有宽,在宽度方向两侧具有交界线K、K,让变位集合在内部;所述低缺陷单晶区Z直线状伸展,贯通表背面,通过交界线K与晶体缺陷集合区H相接,有宽,变位密度比晶体缺陷集合区H低;所述C面生长区Y位于低缺陷单晶区Z的大致中央,直线状伸展,贯通表背面,有宽,变位密度比晶体缺陷集合区H低,电阻率比低缺陷单晶区Z低高,C面生长区Y的宽度并非一定而具有随机偏差,在厚度方向以及与面平行的方向上歪歪扭扭。
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