[发明专利]SOI衬底的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种即使是将氮化硅膜等用作接合层的情况，也可以降低支撑衬底和半导体衬底之间的结合不良的产生的SOI衬底的制造方法。此外，本发明还有一个目的是提供一种可以抑制工序的增加的SOI衬底的制造方法。其步骤如下：准备半导体衬底、以及支撑衬底，在半导体衬底上形成氧化膜，通过透过氧化膜对半导体衬底照射被加速的离子以在距半导体衬底的表面有预定的深度中形成剥离层，在照射离子之后在氧化膜上形成含有氮的层，使半导体衬底与支撑衬底相对并使含有氮的层的表面和支撑衬底的表面接合，加热半导体衬底使其以剥离层为界线分离以在支撑衬底上中间夹着氧化膜以及含有氮的层形成单晶半导体层。

主权项

1. 一种SOI衬底的制造方法，包括如下步骤：准备半导体衬底、以及支撑衬底；在所述半导体衬底上形成氧化膜；通过透过所述氧化膜对所述半导体衬底照射被加速的离子，在距所述半导体衬底的表面的预定深度中形成剥离层；在对所述半导体衬底照射所述离子之后，在所述氧化膜上形成含有氮的层；使所述半导体衬底与所述支撑衬底相对，以使所述含有氮的层的表面与所述支撑衬底的表面接合；通过加热所述半导体衬底使其以所述剥离层为界线分离，以在所述支撑衬底上中间夹着所述氧化膜以及所述含有氮的层形成单晶半导体层。