[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 200810173844.0 | 申请日: | 2008-10-29 |
公开(公告)号: | CN101425451A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 内田博章;前川直嗣;阿野诚士 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306;B08B3/08 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马少东;徐 恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种基板处理方法及装置,该方法在具有板且用处理液对基板实施处理的基板处理装置中执行,板具有与基板一个面隔开间隔而相对的相对面,该方法包括:前供给液液封工序,使前供给液通过与基板中心相对而形成在相对面上的喷出口供给至基板一个面与板之间,且通过前供给液使基板一个面与板之间的空间成为液封状态,前供给液相对基板及板的接触角小于处理液相对基板及板的接触角;处理液置换工序,在通过前供给液使空间成为液封状态后,通过向基板一个面与板之间供给处理液,一边将空间内维持为液封状态,一边将空间内的前供给液置换为处理液;处理液接触工序,在将前供给液置换后,通过处理液使空间成为液封状态,使处理液与基板一个面接触。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种基板处理方法,在具有板并且利用处理液对基板实施处理的基板处理装置中执行,所述板具有与基板的一个面隔开间隔而相对的相对面,其特征在于,包括:前供给液液封工序,使前供给液通过与基板的中心相对而形成在所述相对面上的喷出口,供给至基板的一个面与所述板之间,并且通过前供给液使基板的一个面与所述板之间的空间形成为液封状态,所述前供给液相对于所述基板以及所述板的接触角小于所述处理液相对于所述基板以及所述板的接触角;处理液置换工序,在通过前供给液使所述空间形成为液封状态之后,通过向基板的一个面与所述板之间供给处理液,从而一边将该空间内维持为液封状态,一边将该空间内的前供给液置换为处理液;处理液接触工序,在对前供给液进行置换之后,通过处理液使所述空间形成为液封状态,而使该处理液与基板的一个面相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造