[发明专利]用于半导体元件的叠层晶粒封装结构及其方法无效
申请号: | 200810173898.7 | 申请日: | 2008-11-21 |
公开(公告)号: | CN101740551A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 杨文焜;王启宇;许献文 | 申请(专利权)人: | 育霈科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/18;H01L25/065;H01L23/48;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于半导体元件的多晶粒封装结构,此结构包含一基底,其具有晶粒容纳窗格及互连通孔形成于其中;一第一层半导体晶粒通过背对背设置架构形成于一第二层半导体晶粒下方并置于晶粒容纳窗格之中,其中此第一多晶粒封装包含第一层接触垫形成于此第一层半导体晶粒之下,其中此第一层半导体晶粒具有一第一增层形成于其下,以耦合至此第一层半导体晶粒的第一接合垫;一第二层接触垫形成于该第二层半导体晶粒之上,其中此第二层半导体晶粒具有一第二增层形成于其上,以耦合至此第二层半导体晶粒的第二接合垫;及导电凸块形成于此第一增层之下。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 元件 晶粒 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种用于半导体元件的多晶粒封装结构,其特征在于,包含:一基底,具有晶粒容纳窗格及互连通孔形成其中;一第一层半导体晶粒,其是通过背对背方式形成于一第二层半导体晶粒下方并置于该晶粒容纳窗格内,其中该多晶粒封装包含第一层接触垫形成于该第一层半导体晶粒之下,该第一层半导体晶粒具有一第一增层形成于其下以耦合至该第一层半导体晶粒的一第一接合垫;一第二层接触垫形成于该第二层半导体晶粒之上,其中该第二层半导体晶粒具有一第二增层形成于其上以耦合至该第二层半导体晶粒的第二接合垫;及导电凸块形成于该第一增层之下,用以耦合至该第一层接触垫。
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