[发明专利]用于半导体元件的叠层晶粒封装结构及其方法无效

专利信息
申请号: 200810173898.7 申请日: 2008-11-21
公开(公告)号: CN101740551A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 杨文焜;王启宇;许献文 申请(专利权)人: 育霈科技股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/18;H01L25/065;H01L23/48;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于半导体元件的多晶粒封装结构,此结构包含一基底,其具有晶粒容纳窗格及互连通孔形成于其中;一第一层半导体晶粒通过背对背设置架构形成于一第二层半导体晶粒下方并置于晶粒容纳窗格之中,其中此第一多晶粒封装包含第一层接触垫形成于此第一层半导体晶粒之下,其中此第一层半导体晶粒具有一第一增层形成于其下,以耦合至此第一层半导体晶粒的第一接合垫;一第二层接触垫形成于该第二层半导体晶粒之上,其中此第二层半导体晶粒具有一第二增层形成于其上,以耦合至此第二层半导体晶粒的第二接合垫;及导电凸块形成于此第一增层之下。
搜索关键词: 用于 半导体 元件 晶粒 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
一种用于半导体元件的多晶粒封装结构,其特征在于,包含:一基底,具有晶粒容纳窗格及互连通孔形成其中;一第一层半导体晶粒,其是通过背对背方式形成于一第二层半导体晶粒下方并置于该晶粒容纳窗格内,其中该多晶粒封装包含第一层接触垫形成于该第一层半导体晶粒之下,该第一层半导体晶粒具有一第一增层形成于其下以耦合至该第一层半导体晶粒的一第一接合垫;一第二层接触垫形成于该第二层半导体晶粒之上,其中该第二层半导体晶粒具有一第二增层形成于其上以耦合至该第二层半导体晶粒的第二接合垫;及导电凸块形成于该第一增层之下,用以耦合至该第一层接触垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于育霈科技股份有限公司,未经育霈科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810173898.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top