[发明专利]半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。

主权项

1. 一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：将加速了的离子照射到单晶半导体衬底，以在所述单晶半导体衬底中的离其表面有预定深度处形成损伤区域；在支撑衬底及所述单晶半导体衬底中的至少一个上形成缓冲层；隔着所述缓冲层密接所述支撑衬底和所述单晶半导体衬底，以将所述单晶半导体衬底固定于所述支撑衬底上；通过加热所述单晶半导体衬底在所述损伤区域中产生裂缝，而且在所述损伤区域中从所述支撑衬底分离所述单晶半导体衬底，以形成从所述单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层；通过将激光束照射到所述单晶半导体层，使所述单晶半导体层熔化，而使所述单晶半导体层再结晶；以及在400℃以上且所述再结晶了的单晶半导体层不熔化的温度下加热所述再结晶了的单晶半导体层。