[发明专利]半导体装置及制造方法、功率控制装置、电子设备与模块无效

专利信息
申请号: 200810174062.9 申请日: 2008-11-13
公开(公告)号: CN101437337A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 中岛聪司 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H05B37/00 分类号: H05B37/00;G05F1/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 吕晓章
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法、功率控制装置、电子设备以及模块。半导体装置包括:固态继电器,具有第1发光元件(10)、接受来自第1发光元件的光的光触发元件(16)、以及密封了第1发光元件和光触发元件的透光性树脂(23);双向输入型光电耦合器(31),具有反方向并列连接的第2、第3发光元件(12、14)、接受来自上述第2、第3发光元件的光的光电晶体管(19)、密封第2、第3发光元件和光电晶体管的透光性树脂(23);以及遮光壁(25),在固态继电器和双向输入型光电耦合器之间进行遮光、在由遮光壁在固态继电器和双向输入型光电耦合器之间进行遮光的状态下进行1封装化。根据本发明的半导体装置能够实现小型化,同时能够降低制作成本。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 功率 控制 电子设备 模块
【主权项】:
1、一种半导体装置,用于控制从交流电源提供给负载的交流功率的功率控制装置,其特征在于,包括:固态继电器,具有:第1发光元件,被输入用于控制上述交流功率的控制信号;光触发元件,接受来自上述第1发光元件的光,从而将从上述交流电源施加到上述负载的交流电压接通断开;以及第1树脂密封单元,由透光性树脂密封上述第1发光元件和上述光触发元件;双向输入型光电耦合器,具有:第2、第3发光元件,相互反方向并列连接,并被输入表示上述交流电压的信号;光电晶体管,接受来自上述第2、第3发光元件的光,输出表示上述交流电压的过零的信号;以及第2树脂密封单元,由透光性树脂密封上述第2、第3发光元件和上述光电晶体管;以及遮光壁,在上述固态继电器和上述双向输入型光电耦合器之间进行遮光,在由上述遮光壁在上述固态继电器和上述双向输入型光电耦合器之间进行遮光的状态下,将上述固态继电器和上述双向输入型光电耦合器1封装化。
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