[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810174477.6 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101471325A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 朴振镐 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了具有位线和反相位线的半导体器件的实施例。该位线和该反相位线设置为跨过衬底而交替延续。该半导体器件的距离最近的位线、反相位线、电源线和地线中的至少两个形成在不同的层上，以减少由于线之间的微粒而产生的缺陷并增加产出量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：第一电介质，位于衬底上；第一组线，包括位线，且该第一组线位于该第一电介质上；第二电介质，位于该第一组线上；以及第二组线，包括反相位线，且该第二组线位于该第二电介质上。
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