[发明专利]制备半导体晶体管绝缘栅的方法有效
| 申请号： | 200810174722.3 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101692421A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈志;郭军 | 申请（专利权）人： | 陈志 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/51;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 吴彦峰;徐宏 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管绝缘栅的制造方法，在温度为1000℃～1200℃之间在低浓度氧化性气体中对绝缘栅层进行快速热处理。本方法在绝缘栅层和沟道区之间再生长出一个厚度大于0.05nm的氧化物层，导致由于声子能量耦合增强(PECE)效应而减小绝缘栅的漏电电流2～5个数量级，并且提高了热电子的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 晶体管 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
一种制备半导体晶体管绝缘栅的方法，此方法由以下步骤组成：在基底的沟道区上制备绝缘栅层；以及，在氧化性气体氛围中，通过加热绝缘栅层至大约1000℃-1200℃的高温，在沟道区和绝缘栅层之间生长厚度大于0.05nm的氧化物层.
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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