[发明专利]SOI衬底的制造方法及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200810174746.9 | 申请日： | 2008-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101425456A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 下村明久;桃纯平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种SOI衬底的制造方法，该SOI衬底具有即使在使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于制造一种使用这种SOI衬底的可靠性高的半导体装置。使用具有单晶半导体层的SOI衬底，所述单晶半导体层是从单晶半导体衬底转载到支撑衬底上并其整个区域经过利用激光照射的熔融状态而再单晶化了的层。由此，单晶半导体层的结晶缺陷减少而结晶性提高，并且平坦性也提高。 | ||
| 搜索关键词： | soi 衬底 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种SOI衬底的制造方法，包括如下工序：对半导体衬底添加离子，以在所述半导体衬底中形成脆化层；隔着至少一个绝缘层贴合所述半导体衬底和支撑衬底；进行在所述脆化层分离所述半导体衬底的热处理，以在所述支撑衬底上形成半导体层；以及对所述半导体层照射脉冲激光使所述半导体层的照射区域的整个厚度熔融。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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