[发明专利]等离子体显示板无效
申请号: | 200810174769.X | 申请日: | 2008-10-30 |
公开(公告)号: | CN101425442A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 任相薰;永野真一郎;金贞男 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01J17/49 | 分类号: | H01J17/49;H01J17/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种等离子体显示板(PDP)。PDP包括第一基板、第二基板、阻挡肋、磷光体层、寻址电极、第一电极和第二电极、电介质层以及保护层。第一电极和第二电极在第二方向延伸,并在其间形成第一放电间隙。电介质层在第二基板上形成,并同时覆盖第一电极和第二电极。保护层覆盖电介质层。保护层包括第一二次电子发射部分和第二二次电子发射部分。第一二次电子发射部分形成为对应于第一电极和第二电极的外远端部分并具有第一二次电子发射系数。第二二次电子发射部分被形成为对应于第一电极和第二电极的外近端部分,并具有小于第一二次电子发射系数的第二二次电子发射系数。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 显示 | ||
【主权项】:
1. 一种等离子体显示板,其包括:第一基板;面对所述第一基板的第二基板;阻挡肋,其设置在所述第一基板和所述第二基板之间并定义放电单元;磷光体层,其形成在所述放电单元中;寻址电极,其形成在所述第一基板的内表面上并在第一方向延伸;第一电极,其形成在所述第二基板的内表面上并在第二方向延伸,所述第二方向基本上垂直于所述第一方向;第二电极,其形成在所述第二基板的所述内表面上并在所述第二方向延伸,第一放电间隙在所述第一电极和所述第二电极之间形成;电介质层,其形成在所述第二基板上并覆盖所述第一电极和所述第二电极;以及覆盖所述电介质层的保护层,所述保护层包括:第一二次电子发射部分,其被形成为与所述第一电极和所述第二电极的外远端部分相对应并具有第一二次电子发射系数;以及第二二次电子发射部分,其被形成为与所述第一电极和所述第二电极之一的外近端部分相对应并具有小于所述第一二次电子发射系数的第二二次电子发射系数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810174769.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:铜排转子切气隙及倒角模具装置
- 下一篇:斜轧轧管机导板