[发明专利]原子层沉积设备无效
申请号: | 200810174825.X | 申请日: | 2008-11-05 |
公开(公告)号: | CN101736317A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 孙文檠;钟允升;蓝崇文 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种原子层沉积设备,其包括反应腔室、第一加热器、第一气体供应系统、第二加热器、第二气体供应系统及真空系统。真空系统连接至反应腔室。反应腔室包括预热腔室及连接至预热腔室的镀膜腔室。第一加热器用以加热预热腔室。第一气体供应系统连接至预热腔室。第二加热器用以加热镀膜腔室。第二气体供应系统连接至镀膜腔室。 | ||
搜索关键词: | 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种原子层沉积设备,包括:反应腔室,包括:预热腔室;以及镀膜腔室,连接至该预热腔室;第一加热器,用以加热该预热腔室;第一气体供应系统,连接至该预热腔室;第二加热器,用以加热该镀膜腔室;第二气体供应系统,连接至该镀膜腔室;以及真空系统,连接至该反应腔室。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的