[发明专利]发光装置和制造该发光装置的方法及操作制造设备的方法有效
申请号: | 200810174893.6 | 申请日: | 2003-02-21 |
公开(公告)号: | CN101409259A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;村上雅一;川上奈绪美;大谷久 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L51/56;H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 臧霁晨;王小衡 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及发光装置和制造该发光装置的方法及操作制造设备的方法。由于TFT布置在有源矩阵发光装置中EL层的下面,发明人已经预计到采用电子枪淀积作为形成EL层上的金属层的方法是没有问题的。然而,由于TFT对电子枪产生的离化的蒸汽颗粒、二次电子、反射的电子等非常敏感,虽然在EL层中几乎没有观察到破坏,但是当采用电子枪淀积时在TFT上发现了严重的破坏。本发明提供了具有优越TFT性能(开电流、关电流、Vth、S值等)的有源矩阵发光装置,其中有机化合物层和金属层(阴极或阳极)通过电阻加热形成,对TFT有最小的影响。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 制造 方法 操作 设备 | ||
【主权项】:
1.一种制造发光装置的方法,包括:在衬底之上形成薄膜晶体管;形成具有阴极、阳极、及在阴极和阳极之间的有机化合物层的发光元件,所述发光元件连接到薄膜晶体管,其中所述有机化合物层由蒸汽淀积形成,其中淀积材料通过电阻加热被加热,阴极的下层由蒸汽沉积形成,其中由金属材料形成的沉积材料通过电阻加热被加热,阴极的上层由蒸汽淀积形成,其中由相同的金属材料形成的淀积材料用电子枪加热。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810174893.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:冷藏集装箱前框
- 下一篇:一种智能摩托车防盗报警方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造