[发明专利]发光装置和制造该发光装置的方法及操作制造设备的方法有效

专利信息
申请号: 200810174893.6 申请日: 2003-02-21
公开(公告)号: CN101409259A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: 山崎舜平;村上雅一;川上奈绪美;大谷久 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L51/56;H01L27/32;H01L51/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 臧霁晨;王小衡
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及发光装置和制造该发光装置的方法及操作制造设备的方法。由于TFT布置在有源矩阵发光装置中EL层的下面,发明人已经预计到采用电子枪淀积作为形成EL层上的金属层的方法是没有问题的。然而,由于TFT对电子枪产生的离化的蒸汽颗粒、二次电子、反射的电子等非常敏感,虽然在EL层中几乎没有观察到破坏,但是当采用电子枪淀积时在TFT上发现了严重的破坏。本发明提供了具有优越TFT性能(开电流、关电流、Vth、S值等)的有源矩阵发光装置,其中有机化合物层和金属层(阴极或阳极)通过电阻加热形成,对TFT有最小的影响。
搜索关键词: 发光 装置 制造 方法 操作 设备
【主权项】:
1.一种制造发光装置的方法,包括:在衬底之上形成薄膜晶体管;形成具有阴极、阳极、及在阴极和阳极之间的有机化合物层的发光元件,所述发光元件连接到薄膜晶体管,其中所述有机化合物层由蒸汽淀积形成,其中淀积材料通过电阻加热被加热,阴极的下层由蒸汽沉积形成,其中由金属材料形成的沉积材料通过电阻加热被加热,阴极的上层由蒸汽淀积形成,其中由相同的金属材料形成的淀积材料用电子枪加热。
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