[发明专利]双功函数半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种简化的双功函数半导体装置及其制造方法，该方法其始于一单一金属栅极，进而完成装置本身的制造。一单一金属单一介电质的互补式金属氧化物半导体集成电路系统中，先沉积具有一栅介电层与一介电顶盖层的一单一介电质堆叠结构及其上的一金属层，而形成一金属-介电质界面。在形成上述介电质堆叠结构与上述金属层后，立即借助在至少部分的上述介电顶盖层加入功函数调整元素而对其作选择性地改质，上述部分是邻接于上述金属-介电质界面。本发明的优点在于其集成电路的绕线不需要选择性的金属蚀刻或选择性的介电顶盖层蚀刻，以维持上述金属-介电质界面，并避免上述选择性的蚀刻所造成的介电质损伤。

主权项

1. 一种双功函数半导体装置的制造方法，该双功函数半导体装置具有一衬底与具有一沉积当时的初始功函数的一栅极堆叠结构，该衬底具有一第一区与一第二区，该栅极堆叠结构位于该第一区与该第二区上，该双功函数半导体装置的制造方法包含：形成一栅介电层于一衬底的一第一区与一第二区上、形成一介电顶盖层于该栅介电层上、与形成一金属栅极于该介电顶盖层上，借此而形成一金属-介电质界面；以及选择性地将多个元素至少引入该介电顶盖层位于该第二区上的一部分，该部分邻接于该金属-介电质界面，选择所述多个元素以修改刚沉积的该栅极堆叠结构的功函数，并同时图形化该第一区与该第二区上的该栅极堆叠结构。