[发明专利]形成集成电路装置的制造方法及相应的集成电路装置无效
| 申请号： | 200810175274.9 | 申请日： | 2008-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101436539A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 奥勒·博斯霍尔姆;马尔科·莱佩尔;格茨·斯普林格;德特勒夫·韦伯;格里特·邦斯多夫;弗兰克·皮茨施曼 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/525;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李 慧 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于形成集成电路装置的制造方法，以及相应的集成电路装置。用于形成集成电路装置的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一层级；在第一层级上方形成第二层级；在第二层级上形成覆盖层，其覆盖该层级的第一区并且不覆盖第二区；以及同时在第一区中蚀刻第一接触孔和在第二区中蚀刻第二接触孔，在第二区中相对于覆盖层进行选择性的蚀刻，并在第一区中将蚀刻进行至更深程度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 装置 制造 方法 相应 | ||
【主权项】：
1. 一种用于形成集成电路装置的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一层级；在所述第一层级上形成第二层级；在所述第二层级上方形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述层级的第一区以及不覆盖第二区；以及同时在所述第一区中蚀刻第一接触孔和在所述第二区中蚀刻第二接触孔，以在所述第二区中相对于所述覆盖层进行选择性的蚀刻，并所述第一区中将蚀刻进行至更深的程度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
