[发明专利]半导体集成电路无效

专利信息
申请号: 200810175393.4 申请日: 2008-11-12
公开(公告)号: CN101436594A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 高桥弘行;夏目秀隆 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;G11C11/4063
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种半导体集成电路。根据本发明的一个方面的一种半导体集成电路可以包括多个驱动电路,以根据控制信号用从第一电源提供的第一电压或者从第二电源提供的第二电压来驱动各自多个字线;多个栅极晶体管,其中在栅极晶体管中的每个中栅极连接到多个字线中的一个,并且在储存结点和位线之间的连接状态基于提供给连接到栅极的字线的电压而变化;以及控制电路,其经由多个栅极晶体管中的一个控制从储存结点读取的数据或向其写入的数据。在该半导体集成电路中,多个栅极晶体管中的每个的栅极氧化物膜比构成多个驱动电路的晶体管中的每个栅极氧化物膜薄。
搜索关键词: 半导体 集成电路
【主权项】:
1. 一种半导体集成电路,包括:多个驱动电路,其根据控制信号用从第一电源提供的第一电压或者从第二电源提供的第二电压驱动各自多个字线;多个栅极晶体管,在所述栅极晶体管的每个中,栅极连接到所述多个字线的中的一个,并且在储存结点和位线之间的连接状态基于提供给与所述栅极连接的所述字线的电压而变化;以及控制电路,其经由所述多个栅极晶体管中的一个控制对于储存结点的数据写入或数据读取,其中,所述多个栅极晶体管中的每个的栅极氧化物膜比构成所述多个驱动电路的晶体管中的每个的栅极氧化物膜薄。
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