[发明专利]半导体集成电路无效
申请号: | 200810175393.4 | 申请日: | 2008-11-12 |
公开(公告)号: | CN101436594A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 高桥弘行;夏目秀隆 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;G11C11/4063 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半导体集成电路。根据本发明的一个方面的一种半导体集成电路可以包括多个驱动电路,以根据控制信号用从第一电源提供的第一电压或者从第二电源提供的第二电压来驱动各自多个字线;多个栅极晶体管,其中在栅极晶体管中的每个中栅极连接到多个字线中的一个,并且在储存结点和位线之间的连接状态基于提供给连接到栅极的字线的电压而变化;以及控制电路,其经由多个栅极晶体管中的一个控制从储存结点读取的数据或向其写入的数据。在该半导体集成电路中,多个栅极晶体管中的每个的栅极氧化物膜比构成多个驱动电路的晶体管中的每个栅极氧化物膜薄。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体集成电路,包括:多个驱动电路,其根据控制信号用从第一电源提供的第一电压或者从第二电源提供的第二电压驱动各自多个字线;多个栅极晶体管,在所述栅极晶体管的每个中,栅极连接到所述多个字线的中的一个,并且在储存结点和位线之间的连接状态基于提供给与所述栅极连接的所述字线的电压而变化;以及控制电路,其经由所述多个栅极晶体管中的一个控制对于储存结点的数据写入或数据读取,其中,所述多个栅极晶体管中的每个的栅极氧化物膜比构成所述多个驱动电路的晶体管中的每个的栅极氧化物膜薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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