[发明专利]用于基板处理室的多端口抽气系统无效
申请号: | 200810175482.9 | 申请日: | 2008-11-10 |
公开(公告)号: | CN101429651A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 穆罕默德·M·拉希德;迪米特里·卢伯米尔斯基;詹姆斯·桑托萨 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;H01L21/00;H01L21/316 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述了一种用于净化来自半导体制造室中的流体的排气前级管路。所述前级管路可以包括独立耦合到所述室的第一、第二和第三端口。还描述了一种半导体制造系统,其包括具有第一、第二和第三界面端口的基板室。所述系统还可以包括具有第一、第二和第三端口的多端口前级管路,其中将所述第一前级管路端口耦合到所述第一界面端口,所述第二前级管路端口耦合到所述第二界面端口,所述第三前级管路端口耦合到所述第三界面端口。所述系统还可以包括耦合到所述多端口前级管路的排气真空。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 多端 口抽气 系统 | ||
【主权项】:
1. 一种基板处理系统,其包括:具有在室内的基板处理区域的基板处理室;具有定位在所述基板处理室内的基板接收表面的基板支架,用于在所述室的所述基板处理区域中的基板处理期间固定基板;以及排气系统,该排气系统包括涡轮分子泵、可以关闭以便将所述涡轮分子泵与所述室流体隔离的闸门阀、以及流体耦合到排气前级管路的第一排气通道和第二排气通道;其中所述第一排气通道包括耦合到定位在所述基板处理系统上的端口的第一管道,用于将通过所述涡轮分子泵从所述基板处理室抽出的气体排放到所述排气前级管路中;以及其中所述第二排气通道至少包括耦合到定位在所述基板处理系统上的第二和第三界面端口的第二和第三管道,用于当关闭所述闸门阀以便将所述涡轮分子泵与所述室流体隔离时将来自所述基板处理室的气体排放到所述排气前级管路中。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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