[发明专利]制造芯片载体的方法无效
| 申请号： | 200810175553.5 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101444899A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 李灿勇 | 申请（专利权）人： | 株式会社SILTRON |
| 主分类号： | B24B41/06 | 分类号： | B24B41/06;H01L21/673;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种制造芯片载体的方法，芯片其能够提供良好的抗磨损性以显著增加所述芯片载体的使用寿命，且在芯片的双面抛光期间，防止所述芯片的边缘发生缺陷。所述方法包含：将构成所述芯片载体的载体主体以机械方式加工成预设置的形状；在所述芯片载体的所述载体主体中形成初步孔和浆液引入孔；将类金刚石碳(DLC)涂布在具有所述初步孔的所述载体主体上；以及在涂布所述DLC之后，扩大所述初步孔以形成芯片保持孔，所述芯片插入至所述芯片保持孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 芯片 载体 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造芯片载体的方法，所述芯片载体安装在用于对芯片的两个表面进行抛光的双面抛光设备处，其特征在于其包括以下步骤：将构成所述芯片载体的载体主体以机械方式加工成预设置的形状；在所述芯片载体的所述载体主体中形成初步孔和浆液引入孔；将类金刚石碳涂布在具有所述初步孔的所述载体主体上；以及在涂布所述类金刚石碳之后，扩大所述初步孔以形成芯片保持孔，所述芯片插入至所述芯片保持孔中。
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