[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810175820.9 | 申请日： | 2008-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101431091A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 韩昌勋 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种图像传感器包括：第一衬底，该第一衬底具有形成在其中的下部布线和电路；形成在第一衬底上方的联结层；通过联结层联结至第一衬底的第二衬底；形成在第二衬底中的垂直型光电二极管；以及形成在光电二极管和联结层中并被电连接至下部布线的接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种图像传感器，包括：第一衬底，具有形成在其中的下部布线和电路；联结层，形成在所述第一衬底上方；第二衬底，通过所述联结层联结至所述第一衬底；垂直型光电二极管，形成在所述第二衬底中；以及接触插塞，形成在所述光电二极管和所述联结层中并且电连接至所述下部布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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