[发明专利]光电转换装置及其制造方法

摘要

在叠层型光电转换装置中，为了在上层单元元件和下层单元元件之间形成金属薄膜或硅化物薄膜等，需要增加形成该薄膜的工序。因此，有使光电转换装置的生产性降低等的问题。本发明的要旨在于一种光电转换装置，其至少具有将厚度为10μm以下的单晶半导体层包含于光电转换层的第一单元元件以及将设置在该第一单元元件上的非单晶半导体层包含于光电转换层的第二单元元件，并且在该单元元件之间分散金属簇。因为导电簇存在于下层单元元件和上层单元元件之间且形成欧姆接触，所以欧姆电流在两个单元元件之间流过。

主权项

1. 一种光电转换装置，包括：支撑衬底上的绝缘层；以及所述绝缘层上的第一单元元件及第二单元元件，其中，所述第一单元元件至少包括第一电极、单晶半导体层、具有一导电型的第一杂质半导体层和具有与一导电型相反导电型的第二杂质半导体层，并且，所述第二单元元件至少包括第二电极、非单晶半导体层、具有一导电型的第三杂质半导体层和具有与一导电型相反导电型的第四杂质半导体层，并且，所述单晶半导体层形成在所述第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层之间，并且，所述第一电极中间夹着所述第一杂质半导体层形成在所述单晶半导体层上，并且，所述非单晶半导体层形成在所述第三杂质半导体层和所述第四杂质半导体层之间，并且，所述非单晶半导体层中间夹着所述第四杂质半导体层形成在所述第二电极上，并且，在接合第二杂质半导体层和所述第三杂质半导体层的界面上具有由金属、金属氮化物或金属氧化物构成的导电簇。