[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810176667.1 | 申请日: | 2008-11-14 |
公开(公告)号: | CN101436605A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 黄祥逸 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/552;H01L21/822 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明的实施例公开一种图像传感器,其可以包括:在具有光接收器件的半导体衬底上形成的金属线层;在金属线层上形成的第一微透镜;在第一微透镜上形成的滤色镜阵列;以及在滤色镜阵列上形成的第二微透镜。可以将氧化物层图案置于金属线层和第一微透镜之间。可以将阻挡层排列在氧化物层图案中并且排列在相邻第一微透镜之间的区域中。本发明通过在图像传感器中形成了两个微透镜,可以将入射光更有效地集中于光接收器件上,以提高图像传感器的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种图像传感器,包括:金属线层,位于包括光接收器件的半导体衬底上;第一微透镜,位于该金属线层上;滤色镜阵列,位于该第一微透镜上;第二微透镜,位于该滤色镜阵列上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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