[发明专利]具有分段行修复的半导体存储器无效

专利信息
申请号: 200810176690.0 申请日: 2001-06-07
公开(公告)号: CN101471140A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: B·基斯 申请(专利权)人: 微米技术股份有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G11C29/44;G11C29/24
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 侯颖媖
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 披露了一种具有分段行修复结构的存储器件,它提供了单独位修复的优点,从而有效地使用了存储器件的冗余行。存储器件的行被分成四段,并且通过选择性地禁止缺陷存储单元所处的主要行的仅一个段的字线驱动器并用由冗余匹配电路提供的冗余项信号来使能冗余字线驱动器,从而用冗余行的段来代替整个行长度的特定段,以提供分段行修复。通过选择性地禁止只与缺陷存储单元相关的字线驱动器并将主要及冗余行分成四个段,可完成定位或单独位的修复,从而有效地利用存储器件的冗余行。
搜索关键词: 具有 分段 修复 半导体 存储器
【主权项】:
1. 一种修复存储器件中的缺陷存储单元的方法,所述的方法包含:定位所述存储器件中的所述缺陷的存储单元;验证所述缺陷存储单元所处的存储器块行的段;禁止只在所述验证段中与所述缺陷存储单元所处的主要存储单元行的一部分相关的驱动器;使能只在所述验证段中与冗余存储单元行相关的驱动器;以及只在位于所述验证的段中的主要存储单元行的所述部分中用所述的冗余存储单元行修复所述的缺陷存储单元。
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