[发明专利]适合半导体器件的熔丝断开方法有效
| 申请号： | 200810176729.9 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101425502A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 大村昌良;关本康彦 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种适合半导体器件的熔丝断开方法。向目标熔丝连续施加多个脉冲以引起断开，每个脉冲都具有相对低的能量，其中脉冲的总能量根据预先计算所得的断开阈值而设置。目标熔丝具有成对的端子和互联部分，该互联部分被构建为在中间被狭窄地压缩，从而易于实现熔丝断开。脉冲发生器产生脉冲，该脉冲通过晶体管重复施加到目标熔丝；然后，在探测到熔丝断开的基础上该脉冲发生器停止产生脉冲。侧壁分隔件形成在熔丝的侧壁上，该侧壁分隔件被处理成渐缩的形状以减小施加到外覆的绝缘膜的热应力。此外，脉冲能量被适当调节以在目标熔丝中引起电迁移，因此目标熔丝电阻增加而不引起瞬时的熔断或蒸发。 | ||
| 搜索关键词： | 适合 半导体器件 断开 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：半导体衬底；和至少一个熔丝，具有形成在所述半导体衬底上的渐缩的侧壁。
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