[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 200810177032.3 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101414609A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 杨信佳;郭志盛 | 申请（专利权）人： | 泓广科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，其包含有至少一角落为抛物线状的栅极结构且角落的中心点位于该抛物线的顶点，以利用抛物线所具有的聚焦光学性质，来达到讯号不互相干扰，使所驱动的电流顺畅不乱，达到增加晶体管开关的切换速率，并降低半导体元件运作时的温度，增加半导体元件整体的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1. 一种CMOS半导体元件，其包含有：至少一晶体管结构，其特征在于：该晶体管结构的栅极结构的角落为抛物线状或所述栅极结构的角落边线上的至少五个点位于同一抛物线曲线上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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